半導體元件物理學第四版(上冊)
Physics of Semiconductor Devices Fourth edition
作者: 施敏, 李義明, 伍國珏
譯者: 顧鴻壽, 陳密
出版社:國立陽明交通大學出版社
出版日期:2022/06/29
語言:繁體中文
定價:900元
內容簡介
最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍
《半導體元件物理學》(Physics of Semiconductor Devices)這本經典著作,一直為主修應用物理、電機與電子工程,以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊,因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。
Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後(中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行),已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表,並且在元件概念及性能上有許多突破,顯然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版,有超過50% 的材料資訊被校正或更新,並將這些材料資訊全部重新整理。
全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分:第一部分「半導體物理」包括第一章,總覽半導體的基本特性,作為理解以及計算元件特性的基礎;第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章,論述基本的元件建構區段,這些基本的區段可以構成所有的半導體元件;第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族;第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」;第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。(中文版上冊收錄一至七章、下冊收錄八至十四章,下冊預定於2022年12月出版)
第四版特色
1.超過50%的材料資訊被校正或更新,完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。
2.保留了基本的元件物理,加上許多當代感興趣的元件,例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。
3.提供實務範例、表格、圖形和插圖,幫助整合主題的發展,每章附有大量問題集,可作為課堂教學範例。
4.每章皆有關鍵性的論文作為參考,以提供進一步的閱讀。
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